メインコンテンツへスキップ
WU_26_RESE_CompoundSemiLandingPage_Graphics_11583832442_1200 x 300_JP

IWN 2026に出展します

リガクブースにぜひお立ち寄りください

2026年11月8日~13日|熊本城ホール|熊本県熊本市

X線評価技術で切り拓く窒化物半導体イノベーション

IWN 2026 では、GaN、AlN、および次世代窒化物半導体デバイスの研究開発を加速するリガクの先進X線評価ソリューションをご紹介します。 リガクのソリューションは、以下の評価・解析をサポートします。

  • 結晶品質評価
  • 欠陥解析およびX線トポグラフィ
  • エピタキシャル層評価
  • 表面汚染・不純物管理
  • ウェーハ方位測定

注目の技術発表

Growth on AlN Nanopillars: Inverse Lattice Map, Non-Destructive Analysis Using SmartLab
(AlNナノピラー成長における逆格子マップ解析とSmartLabによる非破壊評価)

発表者:山本 泰司 氏
    リガク XRD Application Scientist

GaNおよびAlN材料の評価、結晶欠陥解析、エピタキシャル層評価からデバイス開発まで、窒化物半導体研究を支えるリガクの最新ソリューションをぜひ会場でご覧ください。

みなさまのご来場を心よりお待ちしております。

化合物半導体デバイスに求められる、確かな計測技術

GaN、SiC、III–V族半導体に代表される化合物半導体は、パワーデバイスやRFデバイス、高周波・高耐圧アプリケーションにおいて不可欠な材料です。
これらのデバイス性能を最大限に引き出すためには、基板からエピタキシャル層、デバイス構造に至るまでの正確な構造評価が欠かせません。

リガクのX線計測ソリューションは、以下の特性を定量的に評価します。

  • 膜厚(サブnm〜µm)
  • 組成(Al、In、ドーパント)
  • ひずみおよび緩和状態
  • 結晶欠陥・転位
  • 界面粗さ・膜密度
  • 表面汚染

X線計測が選ばれる理由

X線計測は、試料の前処理を必要とせず、埋もれた層や複雑なエピタキシャル構造を評価できます。
また、再現性が高く、生産環境に適した測定を可能にします。

膜厚

・極薄膜(0.1〜10 nm)
・多層膜スタック
・埋もれた界面

推奨手法:XRR
特長:干渉効果を利用した高感度な膜厚測定
適用対象:平滑で膜厚均一な薄膜

組成

・合金組成比(AlGaN、InGaAs)
・ドーパント濃度

推奨手法:XRF、HRXRD
特長:XRFによる元素分析とXRDによる格子情報を組み合わせた解析
適用対象:高品質なエピタキシャルスタックおよび多層構造

ひずみ・緩和状態

・エピタキシャルミスマッチ
・厚膜における緩和

推奨手法:HRXRD
特長:格子間隔の変化に直接感度
適用対象:ミスマッチや緩和が空間的に均一な膜

結晶品質および欠陥

・スレッディング転位
・基板欠陥(SiCマイクロパイプ)

推奨手法:X線トポグラフ
特長:非破壊での欠陥イメージング適用対象:高分解能観察および迅速なスクリーニング

界面粗さ・密度

推奨手法:XRR
特長:界面品質に対する高感度
適用対象:nmスケールの粗さを有する膜および多層膜

表面汚染

推奨手法:TXRF
特長:表面における微量検出
適用対象:平滑な薄膜、粒子状汚染

アプリケーション

GaN HEMT構造

主な測定項目

  • AlGaNバリア層の膜厚・組成
  • ひずみおよび緩和状態
  • 界面粗さ

主な手法

  • HRXRD:ひずみ・組成
  • XRR:膜厚・粗さ
  • XRF:元素組成

ポイント

デバイス特性はひずみや界面品質と強く関係しており、複数手法を組み合わせた解析が有効です。

SiCパワーデバイス

主な測定項目

  • 基板欠陥密度
  • エピタキシャル膜厚均一性
  • ポリタイプ識別

主な手法

  • X線トポグラフィ:欠陥評価
  • HRXRD:結晶品質
  • XRF:組成

ポイント

欠陥に起因する歩留まり低下を抑えるため、非破壊かつウェーハ全面での評価が求められます。

III–V族エピタキシャル構造
(InP、GaAs)

主な測定項目

  • 多層膜の膜厚
  • 格子ミスマッチ
  • 量子井戸構造

主な手法

  • HRXRD:ひずみ状態や周期構造の評価
  • XRR:膜厚の検証

ポイント

複数の測定結果を組み合わせることで、構造パラメータをより信頼性高く評価できます。

WU_26_RESE_CompoundSemiLandingPage_Graphics_11583832442_02_1920 x 817_

リガクの計測ソリューション

基板

FSAS II

自動ウェーハ結晶面方位測定X線装置 FSAS II
ウェーハの主面の切断角度、OF・ノッチ位置を自動で測定する装置

もっとみる
FSAS III

自動X線単結晶方位測定装置 FSAS III
単結晶材料の切り出し方位を、ワイヤソーその他の切断機に正確に伝えます

もっとみる
XRTmicron (Lab)

ハイスループット&高分解能X線トポグラフイメージングシステム XRTmicron
転位などの結晶欠陥、表面への貫通転位やエピタキシャル層の欠陥などを検出

もっとみる
XRTmicron (Near-Fab)

ハイスループット&高分解能X線トポグラフイメージングシステム

もっとみる
XTRAIA XT シリーズ (Fab)

半導体製造のあらゆる工程に対応 ―高分解能・非破壊ウェーハ欠陥イメージング

もっとみる

エピタキシャル層

TXRF 3760

全反射蛍光X線分析装置 TXRF 3760
最大200mmウェーハまでの微量元素の表面汚染測定。

もっとみる
XHEMIS TX-2000

次世代の全反射蛍光X線システム XHEMIS TX-2000
最大200mmウェーハまでの微量元素の表面汚染測定。

もっとみる
TXRF 310Fab

全反射蛍光X線分析装置 TXRF 310Fab
最大300mmウェハまで対応の最先端モデルの微量元素表面汚染測定。

もっとみる
TXRF-V310

全反射蛍光X線分析装置 TXRF-V310
VPD機能を備えたTXRFによる超微量元素表面汚染測定。

もっとみる

デバイス

SmartLab

全自動多目的X線回折装置 SmartLab
装置が最適条件を教えてくれるガイダンス機能を実現。

もっとみる
TFXRD Lab

300mmウェーハ上のパターン無しエピタキシャル膜の膜厚、密度、ラフネス、組成、歪、格子緩和度、逆格子マップによる評価が可能かつニアファブアプリケーションとしてウェーハフルマッピングが可能な高分解能XRD・反射率測定システム

もっとみる
TFXRD Near Fab

パターン無しウェーハ上のエピタキシャル膜の膜厚、密度、ラフネス、組成、歪、格子緩和度、逆格子マップによる評価が可能かつニアファブアプリケーションとしてウェーハフルマッピングが可能な高分解能XRD・反射率測定システム

もっとみる
XTRAIA TF シリーズ (Fab)

薄膜評価用 量産ライン向けXRDシステム
ウェーハ全面の高分解能・非破壊特性評価を実現

もっとみる
XTRAIA XD-3300

300mmウェーハ上のパターンあり/パターン無しエピタキシャル膜の膜厚、密度、ラフネス、組成、歪、格子緩和度、逆格子マップによる評価が可能な高分解能XRD・反射率計測ツール

もっとみる

先端パッケージ

WaferX 310

薄膜評価用蛍光X線分析装置 WaferX310
300mm、200mmウェーハ上の膜厚・組成を、同時に分析。

もっとみる
ONYX 3000

ハイブリッドXRFおよび光計測FABツール
300mm、200mmウェーハ上の各種薄膜の膜厚・組成を、同時に非破壊、非接触で分析可能なエネルギー分散型蛍光X線分析装置(EDXRF)

もっとみる

お問い合わせ

製品選びから据付後の技術サービスまで、何でもお気軽にお問い合わせください。