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フォトマスク・レチクル工程に革新をもたらすX線計測


歩留まり向上、欠陥低減、そして次世代リソグラフィーへの加速を実現

本画像はイメージです。実際の製品サンプル構成とは異なる場合があります。

フォトリソグラフィー: X線計測の挑戦

チップ構造の微細化と材料の複雑化が進む中、フォトリソグラフィーに求められる精度への要求はかつてないほど高まっています。

EUVマスクや高アスペクト比構造を扱う製造環境では、誤差の許容範囲が極めて小さく、次世代の課題に対応できる計測ツールが不可欠です。リガクの最先端X線計測装置は、こうした現実に対応するために設計されています。

リガクは、コンタミネーション評価、多層構造の膜厚測定、ナノ構造のプロファイリング、ウェーハ全体のマッピングなど、最新のFab(量産環境)に求められる高精度・高再現性を非破壊で提供します。

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フォトマスクの表面汚染および微量元素の検出
EUV多層構造の層ごとの膜厚・密度・粗さ解析
高アスペクト比構造におけるクリティカルディメンション(CD)およびサイドウォール角の測定
パターン膜およびブランケット膜の両方に対応した計測
レジスト、TiN膜、多層膜構造の形状プロファイリング
SiC、GaN、InPなどの先進材料との高い互換性
Lab(研究開発)からFab(量産環境)まで対応:高スループット自動化

精密な設計で高い信頼性を実現

Nondestructive_Measurement

高精度・非破壊の計測を実現

Scalable_Lab To Fab

Lab(研究開発)からFab(量産環境)までスケーラブルに対応

Optimized_Advanced Device

先端デバイスアーキテクチャに 最適化された設計

リガクの先進技術と解析手法

ノードの微細化。材料の複雑化。許容誤差ゼロの世界へ。

リガクの最先端X線計測装置は、EUVマスクや高アスペクト比構造に対して、非破壊かつ高精度な解析を実現。
表面汚染から多層膜構造のプロファイリング、ウェーハ全体のマッピングまで、次世代製造に求められる精度と信頼性を提供します。

XRR

XRR

X線反射率

TXRF

TXRF

全反射蛍光X線

TSAXS and GISAXS

TSAX・GISAXS

透過型/ 斜入射小角X線散乱法 (SAXS)

XRF and XRD

XRR・XRD

X線反射率・X線回折統合型マイクロスポット解析

pattern_recognition

パターン認識

パターン認識機能とレシピベース制御システムによる統合

 

リガクのソリューション

Lab to fab 計測ツール

Photolithography infographic_ja
製品 用途 詳細 ウェーハサイズ リンク

XTRAIA XD-2000R

XTRAIA XD-2000-R

 

膜厚 HRXRD/XRRとハイブリッド光学系を用いた、多層膜および構造化膜の高精度膜厚評価 EUV Mask
152 x 152 x 6.35 mm
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XTRAIA MF-3000R

XTRAIA MF-3000-R

 

多目的 マイクロスポットプラットフォームでレチクルや化合物ウェーハに適した柔軟な薄膜解析 EUV Mask
152 x 152 x 6.35 mm
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TXRF 310Fab-R

TXRF 310Fab-R

 

表面分析 マスク表面の汚染および残留物の定量化のための全反射蛍光X線分析(TXRF) 300 mm 製品ページをみる

XTRAIA CD-3200T

XTRAIA CD-3200T new

 

CD&形状計測 フォトマスクおよびウェーハのCD測定と表面形状の高精度測定 300 mm 製品ページをみる

XTRAIA CD-3010G

XTRAIA CD-3000G_800×600

 

プロファイル計測 先端レチクルおよびリソグラフィー構造の精密なプロファイリングと形状評価 300 mm 製品ページをみる

 

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