全反射蛍光X線分析装置

全反射蛍光X線分析（TXRF）装置は、半導体製造プロセスにおける汚染物質の測定に広く使用されています。TXRF技術は周期表のほぼすべての元素（Na〜U）に対して非破壊分析が可能です。TXRF分光法は、X線がウェーハの表面に照射される際の特性によって可能となります。各材料は固有の臨界角を持っています。X線の入射角が大きい場合、X線は表面に深く浸透します。入射角が臨界角よりも小さい場合、全反射が起こります。全反射条件では、表面の汚染物質からのみ蛍光X線が生じ、基板材料からのバックグラウンドノイズは検出されません。全反射条件下での入射X線の浸透深さは理論的には約5 nmであり、TXRFは非常に重要かつ有効な表面分析技術です。