アプリケーションノート RSMD010
コンタミネーション素子
MRAM素子：検出下限(LLD) [atoms/cm²] (アトム/cm²)
| Mg | Al | Fe | Co | Mn | Ta | Ru | Pt | |
| TXRF-V310 | 6e8 | 9e8 | 1e7 | 1e7 | 1e7 | 1e8 | ? | ? |
| TXRF 310ファブ | 6e10 | 9e10 | 1e9 | 1e9 | 1.4e9 | 1.3e10 | 1e10 | 8e9 |
MTJ層とキャップ層のエッチング後、これらの元素がシリコン基板裏面の汚染を引き起こす。
BAC-TXRF
製品ラインにおけるクロスコンタミネーションを回避するため、裏面コンタミネーションの測定が必要である。
BAC-TXRFはMRAM用途に適した手法である。
さまざまな温度で1時間測定したCuの拡散長。
BAC-TXRFについて
反転ロボットアームによる表裏ハンドリング
トンネル層材料（MgO）からのコンタミネーション
W-M励起源は、Na、Mg、Alなどの軽元素コンタミネーションの測定に適している。
フリー層およびピン止め層材料（CoFeB）からのコンタミネーション
PtおよびRu層からのコンタミネーション
その他の検出元素
洗浄後の結果
