XHEMIS TX-3000
全反射蛍光X線分析装置
超高速金属汚染マッピング
最大300 mmウェーハに対応した次世代 TXRF
全反射蛍光X線分析法（TXRF）は、洗浄、リソグラフィ、エッチング、成膜など、半導体製造工程における金属汚染の測定に広く利用されています。 XHEMIS TX-3000は、従来の1ターゲット3ビーム方式に加え、3か所を同時測定できるマルチエレメント検出器を搭載。これにより高速スループットを実現し、NaからUまでの元素を高感度かつ効率的に分析できる最新鋭のTXRF装置です。
XHEMIS TX-3000 概要
XHEMIS TX-3000は、微量金属汚染の非破壊・高感度分析を短時間で行うことが求められる先端半導体プロセスに最適な、業界最高水準のTXRF装置です。 リガクが独自に開発した「マルチエレメント検出器」と、ウェーハ表面に広範囲かつ均一な強度で励起X線を照射する新光学系を搭載。これにより、シリコンウェーハ上の複数箇所を同時に測定することができ、スループットは約3倍に向上。量産ラインでの高効率な分析を実現し、品質管理の信頼性向上や歩留まりの改善に大きく貢献します。
本装置はさらに、機械学習を活用した「スペクトル予測ソフトウェア」を組み合わせることで、さらなるスループット向上（さらに２倍）を実現。また、金属膜測定時の「バックグラウンド最適化機能」により、バリアメタル、高誘電体膜、化合物半導体など、より幅広いアプリケーションへの対応も実現しています。
典型元素の検出限界（LLD）
| 検出限界LLD (E10原子/cm²) |
Al | Fe | Ni | Cu |
| TXRF | 25 | 0.1 | 0.1 | 0.15 |
計測時間：1000秒
XHEMIS TX-3000 特長
マルチエレメント検出器により高速マッピング測定が可能（SWEEPING-TXRF測定時）
NaからUまで、幅広い元素の分析が可能
リガク独自の「 1ターゲット3ビーム方式」と「XYθステージ」により、ウェーハ全面の微量分析を高精度で実施
ウェーハ端部までの分析を可能にするゼロエッジ除外（ZEE-TXRF）や、ウェーハ裏面全自動測定（BAC-TXRF）によりウェーハ各部の包括的な汚染分析評価が可能
機械学習を活用した「スペクトル予測ソフトウェア」を組み合わせることで、さらに２倍のスループット向上
FOUP、SMIF、構成に対応し、大量生産ファブの多様なニーズに応える設計
欠陥検査ツールの測定結果インポート機能により、欠陥の元素分析が可能
XHEMIS TX-3000 仕様
| 手法 | 全反射蛍光X線分析 (TXRF) | |
|---|---|---|
| 用途 | 微量元素の表面汚染（Na - U）の高速かつ非破壊での測定 マッピング速度の約3倍の改善 E9原子/cm²の検出限界 |
|
| テクノロジー | 高感度金属汚染分析 | |
| 主要コンポーネント | 3検出器構成 高出力W対陰極X線源（9 kW回転対陰極） 軽元素、遷移元素、重元素に最適化された3つの励起エネルギー XYθ試料ステージ 2つのFOUPロードポート |
|
| 特徴 | フルウェーハマッピング（SWEEPING-TXRF）、ゼロエッジ除外（ZEE-TXRF） | |
| オプション | バックサイド解析（BAC-TXRF）、GEM300ソフトウェア、E84/OHTサポート | |
| 本体寸法 | 1280 (幅) x 3750 (奥行き) x 2040 (高さ) （モニターと信号塔を除く） |
|
| 測定結果 | 定量結果、スペクトルチャート、カラーコンターマップ、マッピングテーブル | |
XHEMIS TX-3000 イベント
学会や展示会にご参加の際は、リガクの展示ブースにぜひお立ち寄りください。
-
イベント日付場所ウェブサイト
