XTRAIA CD-3200T

透過小角X線散乱（TSAXS）CD計測ツール

XTRAIA CD-3200T は、透過型小角X線散乱（TSAXS）を用いた先進的な臨界寸法（CD）計測を提供します。高アスペクト比構造を対象とした非破壊解析に最適化されており、試料を加工・改変することなく、ナノ構造の深さ、サイドウォール角、3次元プロファイルを高精度に測定できます。

フルウェーハマッピングに対応し、有機材料・無機材料の両方と高い親和性を備えているため、先進的なメモリ構造やパターン忠実度の評価に最適です。即時測定が可能な設計と高スループット性能により、量産環境から開発フェーズまで、一貫したCD管理を効率的に実現します。

XTRAIA CD-3200T は、メモリおよびロジックデバイス製造向けに設計された、TSAXS（透過型小角X線散乱）を用いた非破壊ナノ構造計測ツールです。サイドウォール角を含む臨界寸法（CD）を高精度に評価でき、測定ライブラリや前処理を必要とせず、幅広い材料・パターンに対応します。

高スループット設計により、サブナノメートル分解能でのフルウェーハマッピングを実現し、有機・無機材料の双方に対して信頼性の高い品質管理データを提供します。

TSAXSを用いた3次元構造の特性評価

深さ、傾斜、形状、およびCD均一性の測定に対応

有機レジストに対応（収縮なし）

パターン認識、およびフルウェーハマッピングに対応

高アスペクト比構造（例：ホール、ピラー）に対する高感度性能

測定ライブラリを必要としない即時測定

手法	小角X線散乱 - 透過モード（TSAXS）
用途	高アスペクト比（HAR）構造の臨界寸法測定
X線ソース	回転対陰極（Mo Ka、17.4 keV）
X線光学系	多層ミラー光学系
X線検出器	HyPix 6000HE (2D)
主要コンポーネント	パターン化されたウェーハの計測周期的な微細な3D形状深い穴/柱構造 DRAM、3D-NAND、3D LSI構造
特徴	パターン認識およびフルウェーハマッピング
オプション	GEM300ソフトウェア、E84/OHTサポート
本体寸法	4020(W) × 2500(D) × 3450(H) mm
測定対象	ピッチ、CD、高さ、側壁膜厚、SWA（側壁角度）、RT（丸みのある上部）、RB（丸みのある下部）、CD分布、ピッチ分布、高さ分布

以下のアクセサリーが、この製品で使用できます。

X線小角散乱法を用いた半導体デバイス構造の 3 次元形状計測

学会や展示会にご参加の際は、リガクの展示ブースにぜひお立ち寄りください。

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