TXRF 310Fab-R
全反射蛍光X線分析装置
軽元素Naから重元素Uまでの汚染元素を極微量で分析
- 超微量元素汚染を高感度に検出
- 完全自動化・クリーンルーム対応設計
- 半導体製造プロセス制御を支援
- 非破壊による表面分析が可能
TXRF 310Fab-Rは、全反射蛍光X線分析(TXRF)技術を用いて、半導体表面の汚染を高感度かつ高精度に検出する装置です。研究開発から量産ラインまで対応し、プロセスモニタリングと欠陥低減に寄与します。
SECS/GEM完全対応、3ビーム光学系により高スループットを実現。空間マッピングと自動診断機能を備え、歩留まりの継続的な向上に貢献します。国際的な安全・環境基準にも準拠しています。
TXRF 310Fab-R 概要
TXRF 310Fab-Rは、半導体材料の超微量元素汚染を解析するために設計された先進的なX線計測装置です。非破壊でサンプルの完全性を保ちながら高感度な分析を行うことができ、研究用途はもちろん、高スループットが求められる半導体製造現場にも適しています。汚染の精密な診断により、プロセスモニタリングの精度向上と歩留まりの最適化を支援します。また、本装置は国際的な安全・環境規制に準拠しており、グローバルな導入にも対応可能です。
TXRF 310Fab-R 特長
Na(ナトリウム)からU(ウラン)までの汚染元素を検出
超微量レベルでの高感度検出(例:Ni < 1E9 atoms/cm²)
最大5×5ポイント、30 mmピッチでのマッピング測定が可能
サンプルの自動アライメントおよびデータ取得機能
電子冷却式検出器を搭載
SECS/GEM準拠でクリーンルーム統合に対応
TXRF 310Fab-R 仕様
| 手法 | 全反射蛍光X線分析 (TXRF) | |
|---|---|---|
| 感度 | Al:2.5E11 atoms/cm² 未満、Ni:1E9 atoms/cm² 未満 | |
| 対応サンプル | ウェーハ、フォトマスク | |
| 測定項目 | 表面元素汚染 | |
| 分解能 | 微量レベルでの定量分析 | |
| 優位性 | 汚染制御の迅速な診断に対応 | |
| 自動化 | 完全自動化およびクリーンルーム通信機能に対応 | |
| テクノロジー | 3ビーム光学系、自動光学切替機構を搭載 | |
| 適合規格 | GEM300、SEMI S2/S8、CE、NFPA、EU指令に準拠 | |
| スループット | 高スループットでのマッピング・モニタリングに対応 | |
| 主要特性 | レシピベースの運用による高い再現性 | |
| 主要機能 | リアルタイム診断・高感度検出 | |
| オプション | E84/OHT対応、先進的なマッピングツールの搭載が可能 | |
| 測定結果 | 元素マップや微量スペクトルの取得が可能 | |
TXRF 310Fab-R オプション
- 高解像度マッピング
- 標準以外のサイズの基板向けカスタムホルダー
- 高度なレポート機能
以下のアクセサリーが、この製品で使用できます。
TXRF 310Fab-R イベント
学会や展示会にご参加の際は、リガクの展示ブースにぜひお立ち寄りください。
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イベント日付場所ウェブサイト
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The 2026 IEEE 76th Electronic Components and Technology Conference2026年5月26日 - 2026年5月29日Orlando, Fl, USA
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CEIA Leti Innovation Days2026年6月23日 - 2026年6月25日Maison Minatec, Grenoble, France
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The International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-6)2026年8月2日 - 2026年8月7日College Park, MD, USA.
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SEMICON Taiwan 20262026年9月2日 - 2026年9月4日Taipei, Taiwan
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応用物理学会秋季学術講演会2026年9月8日 - 2026年9月11日北海道大学 札幌キャンパス(北海道・札幌市)
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ICSCRM20262026年9月27日 - 2026年10月2日パシフィコ横浜 ノース
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SEMICON West 20262026年10月13日 - 2026年10月15日San Francisco, CA, USA
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SEMICON Europa2026年11月10日 - 2026年11月13日Munich, Germany
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SEMICON Japan 20262026年12月9日 - 2026年12月11日東京ビッグサイト
TXRF 310Fab-R