TXRF310Fab

ロータ型高出力X線発生装置と新設計入射X線モノクロメータを採用

ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD 10⁸ atoms/cm²レベルを実現。 封入型Ｘ線管の1/3の測定時間で同じ精度が得られ高スループットを実現しました。

1ターゲット3ビーム方式を採用

3種類の分光結晶により、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用する特許方式です。　軽元素測定用のW-Mα線は、Siを励起しないため、Na，Mg，Al分析が可能になりました。　Na～Uまで連続的に高精度自動分析を行います。

回折線除去により散乱線の影響を極小化

高次反射を抑えた光学系 とX-Y-θ駆動ステージを採用し、Ｘ線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。　ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。

異物検査座標データとの座標リンクが可能

異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。　独自のアルゴリズム採用の点滴痕サーチ機能はすばやく正確な座標が求められます。

ウェーハ面内高速汚染スクリーニング　「Sweeping-TXRF機能」

ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。　面内5点や9点といった代表座標測定では捉えられなかったウェーハ全面の汚染分析を短時間で行います。 300mmウェーハ全面の5×10¹⁰ atoms/cm² の汚染検出を 僅か50分で完了します。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。

エッジエクスクルージョン0mm 非破壊・非接触汚染測定　「ZEE-TXRF機能」

これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。　汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。

ウェーハ裏面全自動測定　「BAC-TXRF機能」

ウェーハ反転ロボットをEFEM内に搭載し、300mmウェーハ裏面汚染測定の無人全自動化を実現しました。　　ZEE-TXRF機能と組み合わせれば、ウェーハ各部の包括的汚染分析評価が可能です。

300mmFab対応

FabでのスタンダードFOUP/SMIFインターフェースを装備、300mm/200mmウェーハに対応します。　また様々なAMHSに対応、ホストコンピューターとSECS/GEMプロトコルの対応で、CIM/FAを支えます。