XRTmicron Near-Fab
実験室からクリーンルーム環境での生産に
至るまで ― 研究開発と品質管理を橋渡し
XRTmicron Near-Fabは、材料研究と試作・少量産、双方に対応する柔軟なハイブリッドシステムです。
マニュアルハンドリングおよび自動のウェーハ搬送機能を備え、複雑化する製造工程に求められる高い汎用性を実現します。 コンタミネーションを最小限に抑制し、非破壊のウェーハ評価を実現します。Si、SiC、GaN、GaAs、InP、AlN、Ga₂O₃などの基板や、76〜300 mmの幅広いウェーハサイズに対応しています。
先進的な光学系、検出器、そして3次元セクショントポグラフ測定機能により、詳細な欠陥の可視化を可能にし、量産体制へのプロセス導入を確実にします。
XRTmicron Near-Fab 概要
XRTmicron Near-Fabは、材料研究、試作・少量産、量産のそれぞれステージに対応可能な柔軟な評価システムを必要とする半導体メーカー向けに設計されています。LabとFabの中間に位置するNear-Fabシステムは、研究開発の精度と製造環境における品質管理に必要な自動化対応と信頼性を備えた、次世代のソリューションです。
本システムは、最大300 mmのウェーハを手動または自動で搬送し、材料研究の初期段階からプロセス評価、そしてインライン品質モニタリングに至るまでのすべての現場に最適なツールです。
非破壊・高分解能イメージングにより、転位やスリップライン、そしてその他デバイスの歩留まりや信頼性に直接影響を与える重要な結晶欠陥を詳細に可視化します。
SEMI準拠の欠陥解析ソフトウェアを搭載し、技術者が材料やプロセスが量産に見合うレベルに達しているか判断する指標を提供し、研究段階から量産への移行をサポートします。
アプリケーション例：
- パワーデバイス用SiC：TSDおよびBPDマッピング（SEMI M91/M93に準拠）
- GaNとAIN：RF、光デバイス、およびパワーデバイスのプロセス開発と品質管理
- VCSELおよびフォトニクス向けのInPおよびGaAs：基板およびエピタキシャル層レベルでの欠陥マッピング
- パワーデバイス用Ga₂O₃：基板およびエピタキシャル層の品質向上
- 光電子デバイス用基板としてのAl₂O₃：プロセス改善と品質管理
- 3D-DRAMおよび最先端ロジック構造向けSi/SiGe超格子：プロセス開発とミスフィット転位の検出
XRTmicron Near-Fab 特長
フレキシブルなウェーハ搬送
複数のホルダーオプションにより、ウェーハ自動搬送およびマニュアルハンドリングに対応（カプトン®、グラッシーカーボン、アルミ合金）
様々な試料に対応
ウェーハ、エピタキシャル積層膜、結晶インゴットおよびブールに対応
高輝度
MicroMax-007（高輝度2波長）と放物面多層膜ミラーを採用
検出器
XTOP（5.4 µm/ピクセル）、HR-XTOP（2.4 µm/ピクセル）（オプション）、高速測定用HyPix-3000HE（100 µm/ピクセル）
生産管理システムに対応済み
低コンタミネーションリスクによりパイロットラインへの統合が可能。ガスフロー装置内への設置も可能
XRT Toolboxによる欠陥解析
SEMI規格に準拠した欠陥分類と定量化、KLARF形式での出力、バッチ処理にも対応
XRTmicron Near-Fab 仕様
| 手法 | X線トポグラフイメージング | |
|---|---|---|
| 用途 | 単結晶材料の非破壊評価 | |
| テクノロジー | 透過トポグラフと反射トポグラフ切り替え | |
| 主要コンポーネント | 高輝度微小Ｘ線光源、特殊Ｘ線ミラー光学系、高解像度・高分解能Ｘ線カメラ、搬送機 | |
| オプション | HR-XTOPカメラ、結晶コリメータ、XRT Toolboxソフトウェアによる欠陥解析 | |
| ウェーハ搬送・試料ハンドリング | ウェーハ自動搬送/マニュアルハンドリング両方に対応 | |
XRTmicron Near-Fab イベント
学会や展示会にご参加の際は、リガクの展示ブースにぜひお立ち寄りください。
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イベント日付場所ウェブサイト
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SEMICON Japan 20252025年12月16日 - 2025年12月18日東京ビッグサイト 南ホール
