高解析度 XRD 有何用途？
外延層成分、厚度、應變與弛豫表徵
高解析度X光繞射是化合物半導體工業中外延層表徵的經典手段。傳統上，該技術主要用於測定外延層厚度與組成分；近年來，該技術的進展已經實現多層結構中特定層應變與弛豫狀態的精確解析。
高解析度X光搖擺曲線分析可實現外延單晶薄膜的厚度、組成分及應變狀態的表徵。上述參數的獲得是基於X光動力學繞射理論對實測曲線的模擬與擬合。圖示案例展示了透過分子束外延（MBE）技術在Si（001）基板上/SiGe薄膜/Si覆蓋層結構。該樣品的SiGe層的標稱厚度為50 nm，Ge標稱濃度為20.0%，Si覆蓋層的標稱厚度為20 nm。
實驗搖擺曲線（紅色）由透過配備 Ge（440）x4 單色儀的 SmartLab 多功能繞射儀測得。藍色曲線是使用理學搖擺曲線分析軟體進行擬合而成，擬合結果與測量數據高度吻合。擬合顯示： SiGe 層的實際厚度為 49.24 nm，Ge 濃度為 13.7%。Si覆蓋層實際厚度為 24.25 nm，略高於標稱值。
