第73回 応用物理学会春季学術講演会に出展します。

2026年春に東京で開催される第73回応用物理学会春季学術講演会（JSAP Spring Meeting 2026）にて、次世代の窒化物半導体構造に向けた先端X線回折アプローチを紹介する技術発表を行います。本セッションでは、結晶学、材料科学、デバイス開発の専門知識が結集し、紫外光デバイス分野のイノベーションを支える評価技術に焦点を当てます。

[16p-PA3-8] X線回折法を用いたAlNナノピラーの多角的評価

講演者：
山本 泰司¹、翁 哲偉¹ 、齋藤 巧夢²、加藤 晴也² 、岩山 章² 、岩谷 素顕²
（1.株式会社リガク、2.名城大理工）

キーワード：窒化物半導体、X線回折法、結晶成長

一般セッション (ポスター講演) 15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶
セッション：[16p-PA3-1~11] 15.4 III-V 族窒化物結晶
日時：2026年3月16日（月）14:30 〜 16:00
会場：PA3 （アリーナ  1F）

ショートセミナーのご案内

表面金属汚染分析によるデバイス信頼性向上へのアプローチ

半導体デバイスの特性評価や長期信頼性の確保において、表面金属汚染の高感度・高精度な分析は不可欠です。
本セミナーでは、SiCやGaNといった次世代パワー半導体にも対応可能な全反射蛍光X線分析装置 TXRF3760 を取り上げ、装置の特長や適用例を含めた概要をご説明します。 プロセス開発から品質管理まで、表面汚染評価に携わる皆様に有益な内容です。

日時：3月16日 18:00～
会場：13.7 / W8E_101 屋内運動場
講演：株式会社リガク
内容：表面金属汚染分析装置 TXRF3760 の装置概要紹介

皆様のご参加を心よりお待ちしております。