TXRF 3760

全反射蛍光X線分析装置

ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析

ロータ型高出力X線発生装置と新設計入射X線モノクロメーターを採用

ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD 108 atoms/cm2レベルを実現。 封入型X線管の1/3の測定時間で同じ精度が得られ高スループットを実現しました。

TXRF 3760 概要

ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析

ロータ型高出力X線発生装置と新設計入射X線モノクロメーターを採用
ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD 108 atoms/cm2レベルを実現。 封入型X線管の1/3の測定時間で同じ精度が得られ高スループットを実現しました。

1ターゲット3ビーム方式を採用

3種類の分光結晶により、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用する特許方式です。 軽元素測定用のW-Mα線は、Siを励起しないため、Na,Mg,Al分析が可能になりました。 Na~Uまで連続的に高精度自動分析を行います。

回折線除去により散乱線の影響を極小化

高次反射を抑えた光学系 とX-Y-θ駆動ステージを採用し、X線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。 ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。

異物検査座標データとの座標リンクが可能

異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。 独自のアルゴリズム採用の点滴痕サーチ機能はすばやく正確な座標が求められます。

ウェーハ面内高速汚染スクリーニング 「Sweeping-TXRF機能」

ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。 従来の面内5点や9点といった代表座標測定では捉えられなかったウェーハ全面の汚染分析を短時間で行います。 200mmウェーハ全面の5×1010 atoms/cm2 の汚染検出を 僅か30分で完了します。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。

エッジエクスクルージョン0mm 非破壊・非接触汚染測定 「ZEE-TXRF機能」

これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。 汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。

各種CIM/FAに対応

ホストコンピューターとSECS通信可能で、各種CIM/FAに対応します。 オープンカセットの他、SMIF PODにも対応可能 (オプション)です。

TXRF 3760 特徴

全反射蛍光X線方式を採用し、ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析する装置です。~200mmウェーハに対応し、軽元素Naから重元素Uまでの汚染元素を極微量で分析できます。ウェーハからの回折X線の妨害を除くステージ駆動方式を採用。正確かつ高精度な汚染元素分析が可能です。ウェーハ面内高速汚染マッピング測定 「Sweeping-TXRF機能」 や ウェーハエッジ近傍の測定を可能にした 「ZEE-TXRF機能」など、多彩な機能を搭載し、半導体量産工程やプロセス開発における汚染管理を強力にサポートします。

TXRF 3760 仕様

製品名 TXRF 3760
手法 全反射蛍光X線(TXRF)
用途 ウェーハ汚染を測定するためのNaからUまでの元素分析
テクノロジー 液体窒素フリー検出器を備えた3ビームTXRFシステム
主要コンポーネント 最大200 mmウェーハ対応XYθサンプルステージシステム、真空ウェーハ内ロボット搬送システム、ECS / GEM通信ソフトウェア
オプション スイープTXRFソフトウェア(「ホットスポット」を識別するためにウェーハ表面上の汚染物質分布のマッピングを可能にする。 ゼロエッジ除外で測定を可能にするZEE-TXRF機能)
制御(PC) 内部PC、MS Windows® OS
本体寸法 1000 (W) x 1760 (H) x 948 (D) mm
質量 100 kg(本体)
電源 三相 200 VAC 50/60 Hz, 100 A

TXRF 3760 イベント

学会や展示会にご参加の際は、リガクの展示ブースにぜひお立ち寄りください。

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