TXRF 3760
全反射蛍光X線分析装置
ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析
ロータ型高出力X線発生装置と新設計入射X線モノクロメーターを採用
ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD 108 atoms/cm2レベルを実現。 封入型X線管の1/3の測定時間で同じ精度が得られ高スループットを実現しました。
TXRF 3760 概要
1ターゲット3ビーム方式を採用
3種類の分光結晶により、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用する特許方式です。 軽元素測定用のW-Mα線は、Siを励起しないため、Na,Mg,Al分析が可能になりました。 Na~Uまで連続的に高精度自動分析を行います。
回折線除去により散乱線の影響を極小化
高次反射を抑えた光学系 とX-Y-θ駆動ステージを採用し、X線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。 ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。
異物検査座標データとの座標リンクが可能
異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。 独自のアルゴリズム採用の点滴痕サーチ機能はすばやく正確な座標が求められます。
ウェーハ面内高速汚染スクリーニング 「Sweeping-TXRF機能」
ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。 従来の面内5点や9点といった代表座標測定では捉えられなかったウェーハ全面の汚染分析を短時間で行います。 200mmウェーハ全面の5×1010 atoms/cm2 の汚染検出を 僅か30分で完了します。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。
エッジエクスクルージョン0mm 非破壊・非接触汚染測定 「ZEE-TXRF機能」
これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。 汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。
各種CIM/FAに対応
ホストコンピューターとSECS通信可能で、各種CIM/FAに対応します。 オープンカセットの他、SMIF PODにも対応可能 (オプション)です。
TXRF 3760 特長
TXRF 3760 仕様
製品名 | TXRF 3760 | |
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手法 | 全反射蛍光X線(TXRF) | |
用途 | ウェーハ汚染を測定するためのNaからUまでの元素分析 | |
テクノロジー | 液体窒素フリー検出器を備えた3ビームTXRFシステム | |
主要コンポーネント | 最大200 mmウェーハ対応XYθサンプルステージシステム、真空ウェーハ内ロボット搬送システム、ECS / GEM通信ソフトウェア | |
オプション | スイープTXRFソフトウェア(「ホットスポット」を識別するためにウェーハ表面上の汚染物質分布のマッピングを可能にする。 ゼロエッジ除外で測定を可能にするZEE-TXRF機能) | |
制御(PC) | 内部PC、MS Windows® OS | |
本体寸法 | 1000 (W) x 1760 (H) x 948 (D) mm | |
質量 | 100 kg(本体) | |
電源 | 三相 200 VAC 50/60 Hz, 100 A |