TXRF 3760

全反射蛍光Ｘ線分析装置

ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析

ロータ型高出力X線発生装置と新設計入射X線モノクロメーターを採用
ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD 10⁸ atoms/cm²レベルを実現。 封入型Ｘ線管の1/3の測定時間で同じ精度が得られ高スループットを実現しました。

1ターゲット3ビーム方式を採用
3種類の分光結晶により、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用する特許方式です。　軽元素測定用のW-Mα線は、Siを励起しないため、Na，Mg，Al分析が可能になりました。　Na～Uまで連続的に高精度自動分析を行います。

回折線除去により散乱線の影響を極小化
高次反射を抑えた光学系 とX-Y-θ駆動ステージを採用し、Ｘ線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。　ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。

異物検査座標データとの座標リンクが可能
異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。　独自のアルゴリズム採用の点滴痕サーチ機能はすばやく正確な座標が求められます。

ウェーハ面内高速汚染スクリーニング　「Sweeping-TXRF機能」
ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。　従来の面内5点や9点といった代表座標測定では捉えられなかったウェーハ全面の汚染分析を短時間で行います。 200mmウェーハ全面の5×10¹⁰ atoms/cm² の汚染検出を 僅か30分で完了します。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。

エッジエクスクルージョン0mm 非破壊・非接触汚染測定　「ZEE-TXRF機能」
これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。　汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。

各種CIM/FAに対応
ホストコンピューターとSECS通信可能で、各種CIM/FAに対応します。 オープンカセットの他、SMIF PODにも対応可能 (オプション）です。