XTRAIA CD-3200T
透過X線CD計測ツール
TSAXSは、CD測定のためのインライン小角X線散乱法です。
最大300 mmウェーハまで対応
最先端のデバイスマイクロ形状(浅いパターン/深いパターン)測定装置
ナノ構造物、例えば断面プロファイル、深さ、形状、および傾斜の非破壊測定が可能です。断面形状を反映するX線回折画像を取得します。
XTRAIA CD-3200T 概要
各形状の半導体デバイスに最適な装置のラインナップをご用意しています。
断面プロファイル、深さ、形状、傾斜などのナノ構造を非破壊的に測定することができます。
事前のライブラリなどの準備なしに測定と解析を開始することができます。レジストなどの有機材料を収縮させずに正確に測定します。
アプリケーションの例
- TSAXSを使用した深い穴の非破壊測定
- TSAXSと断面走査型電子顕微鏡(SEM)を重ねて表示
- TSAXSによる側壁TiN膜の厚さプロファイル
- ウエーハ面内のCDおよびインプレーン傾斜角の分布
- 深さ方向のCDプロファイル
XTRAIA CD-3200T 仕様
手法 | 小角X線散乱 - 透過モード(TSAXS) | |
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用途 | 高アスペクト比(HAR)構造の臨界寸法測定 | |
X線ソース | 回転対陰極(Mo Ka、17.4 keV) | |
X線光学系 | 多層ミラー光学系 | |
X線検出器 | HyPix 6000HE (2D) | |
主要コンポーネント | パターン化されたウェーハの計測 周期的な微細な3D形状 深い穴/柱構造 DRAM、3D-NAND、3D LSI構造 |
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特徴 | パターン認識およびフルウェーハマッピング | |
オプション | GEM300ソフトウェア、E84/OHTサポート | |
本体寸法 | 4020(W) × 2500(D) × 3450(H) mm | |
測定対象 | ピッチ、CD、高さ、側壁膜厚、SWA(側壁角度)、RT(丸みのある上部)、RB(丸みのある下部)、CD分布、ピッチ分布、高さ分布 |