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電子元件

理學藉由先進的分析技術,為您提供經過實踐驗證的材料分析、精確識別與可靠定量分析解決方案,幫助您製造更安全、高效且值得信賴的電子設備。

电子产品

行業挑戰

電子研究與品質控制

晶圆加工
晶圓製造

在薄膜生長前,對單晶基板的晶粒與晶體缺陷進行評估,以確保元件性能達到最優化。

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薄膜生长和电极沉积
薄膜生長、電極沉積

我們的高解析度高速 X光繞射系統,可獨立測量薄膜層的晶體完整性關鍵參數與厚度,以高精度方式直接影響元件性能。

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切割和包装
切割與封裝

為精確測量芯片各獨立元件的特性,需採用能對半導體元件微小區域進行分析的儀器。透過搭載微聚焦光學系統與高速二維偵測器的X光繞射系統,可實現高強度微小區域結構的快速精準測量。

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印刷电路板
印刷電路板(PCB)

X光成像技術透過三維體積重建與二維切片渲染,能夠無損可視化PCB上單個芯片的內部結構與缺陷,是保障電路板可靠性的關鍵檢測方法。

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針對電子行業的產品

未來應用

憑藉成熟可靠的分析技術,引領電子研究與品質控制的未來

X 射线拓扑(透射)原理
晶體缺陷

在生產高性能半導體元件時,外延薄膜中的晶體缺陷可能會造成問題。例如,當薄膜進行外延生長時,可能會繼承單晶基板的晶體缺陷。因此,在薄膜生長之前評估單晶基板中的晶粒和晶體缺陷,對確保元件達到最佳性能上至關重要。

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通过 X 射线摇摆曲线测量评估晶体质量
晶體品質

X光搖擺曲線測量是一種用於評估晶體薄膜和單晶基板晶體品質的方法。透過分析測量得到的搖擺曲線峰寬(FWHM),可獲得樣品內晶格平面取向分佈(鑲嵌分佈)的訊息。這種取向分佈可以用來衡量晶體完整性。理學的 SmartLab 繞射儀配有高解析度光束調節器,為高品質晶體薄膜和基板的完整性測量提供了必要的解析能力。

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利用超高分辨率光学仪器评估晶格常数
晶格常數

三軸 X光幾何結構與高精度測角儀相結合,可實現單晶基板晶片的超高解析度繞射分析。“三軸”指三個獨立的晶體繞射元件:樣品構成一軸,另外兩軸分別與入射和繞射光束通道切割多次反射單色器晶體有關。配合使用XY位移臺,可以評估單晶矽片上晶格參數的變化。

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有机薄膜图像的方向分析2
取向分析

有機半導體作為新一代半導體材料,與傳統的無機材料相比,其成本效益突出,性能更為優越。分子的排列和取向對有機半導體的性能至關重要。本案例展示了利用面內 X光繞射(XRD)評估銅酞菁(CuPc)薄膜取向的優勢。這種材料具有光電導和電致發光特性,在各種應用中展現出重要價值。

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利用 XY 映射平台进行曲率评估
曲率

外延薄膜與單晶基板之間的熱膨脹差異會導致樣品彎曲。透過使用 XY位移臺採集的 X光搖擺曲線數據進行分析,可量化樣品彎曲程度。該曲率可作為薄膜內殘餘應力的指標。

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切割與封裝

SmartLab μHR先進系統可分析印刷電路板等微型元件的結晶狀態。相比採用早期的狹縫準直器光學系統,本系統使用微聚焦 X光源和高速二維X光偵測器,能在更短的時間內完成高對比度微小區域測量。

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印刷電路板

X光微型 CT(電腦斷層掃描)透過重建穿透樣品的X光投影圖像,可生成微小元件的高解析度三維圖像。重建後的圖像以二維切片和三維立體渲染形式呈現,實現對元件內部結構與缺陷的無損分析。

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微区绘图测量图像3
微小區域mapping

針對印刷電路板等微型元件的分析,準確評估各元件結晶狀態至關重要。傳統光學系統需要將發散的 X光光束轉換成聚焦光束,由於 X光光束強度衰減嚴重,導致測量耗時。而SmartLab μHR搭配高速二維 X光偵測器,即使在工作功率僅為傳統設備1/10的情況下,也能在短時間內實現高強度微小區域測量。

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應用說明

以下是與電子元件相關的應用說明

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