X光繞射（XRD）是材料科學和工程領域中表徵晶體材料內應力的核心技術手段：其繞射圖譜不僅包含晶體結構訊息，更可透過晶面間距變化分析應力狀態。當材料受應力作用時，其晶面間距會發生相應畸變，進而導致繞射峰偏移或寬化。透過對這些特徵的定量分析，可實現材料內部的應力大小及其分佈的精確表徵，為承載工程零件的設計和優化提供關鍵的數據支援。
整合同傾法（iso-inclination）與側傾法（side-inclination）的雙測量模式，支援實驗室級微區殘餘應力的分析
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B-XRD3005 - Evaluation of Residual Stress of Thin Films by GI-XRD and the Multiple hkl Method
B-XRD3001 - Stress Distribution of a Shot Peened Coil Spring
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